拉普拉斯低壓水平化學氣相沉積鍍膜系統 LPCVD LLP430
拉普拉斯低壓水平化學氣相沉積鍍膜系統 LPCVD LLP430

拉普拉斯最新的低壓水平化學氣相沉積鍍膜系統可應用于N-TOPCon電池的隧穿氧化層與非晶硅生長工藝,為下一代高效N-TOPCon電池的核心工藝設備。

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系統的應用及特點


應用

本設備適合156-210mm硅片生產,相比常規豎直插片具有更高的鍍膜均勻性,能幫助客戶提升高效太陽能電池的效率、集中性、和EL良率。本設備具有行業內最高產能,能幫助客戶降低固定資產投入和運營成本。


產品特點

1. 水平放片,管內空間利用率高,不僅能耗低,且具有業內最高的產能;

2. 硅片方向與氣流方向一致,硅片對氣流阻擋小,片內/片間均勻性更優;

3. 自重擠壓,減少硅片間間隙,繞擴/繞鍍可控;

4. 水平放片,更適合超大,超薄硅片生產;

5. 電池技術適用性和通用性高,可用于PERC,TOPCon等各種電池結構;

6. 整機模塊化設計,兼容性好,可相互升級轉換;


拉普拉斯低壓水平化學氣相沉積鍍膜系統  LLP370/05

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